在每個脈沖之后進行泄漏測量以獲得演變與脈沖電流。設置用于封裝器件測試，可選雙晶片探針 (Barth Model 45001WP) 也可用于晶圓級測試。
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Barth 45001WP 晶圓探針設計用于晶圓級 ESD 防護 I/V 特性的脈沖測試。
它有兩個獨立的針頭和獨立的探針接頭，可獨立定位，兩者之間無相互作用。它經過專門設計，在插座中測試封裝器件時可以提供相同的精度。 <
為了最大限度地減少連接待測試焊盤時出現交叉針的機械問題，專門設計的恒定阻抗反轉開關可以輕松選擇焊盤上的 TLP 脈沖極性。
強大的磁性或真空底座使該 TLP 探針可以輕松移動，同時在桌面上保持安全的定位。
? 脈沖寬度選擇：75ns 到 200ns
? 脈沖電壓：0 至 500V（至開啟負載），0 至 250V（至 50 歐姆負載）
? 脈沖電流：0 至 5A（至 50 歐姆負載），0 至 10A（至 短路負載）
? 脈沖上升時間：0.2ns、2ns 和 10ns（典型值）
? 每次脈沖后通過泄漏電流測量進行損傷檢測
? 晶圓級測試（含可選 Model 45001WP）
? 可選擇 20A、30A 和 500ns 寬度
? 脈沖寬度變量：1ns (min)
? 脈沖電流：16A（最大）
? 脈沖上升時間：100ps (min)
? 超高速響應的迅速返回測量
? 超高速 ESD 保護電路評估，如 cdm 模式
? 微波 50 歐姆探針可用于晶圓級測試
