通過(guò)機(jī)器人上的接觸針將 HBM、MM 或 CDM（F-CDM 或 D-CDM）應(yīng)力施加到較大 IC 晶粒的焊盤上，可以測(cè)量其耐久性。其他 IC 測(cè)試儀或 siplme 源儀表檢測(cè)損傷。低成本系統(tǒng)預(yù)計(jì)通過(guò)手動(dòng)操作。可以進(jìn)行晶圓測(cè)試以及切模測(cè)試。也可提供 TLP 配置。
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近期，諸如 MR 磁頭和 GaAs IC 等非常靈敏的 ESD 器件正在增加。為了測(cè)量這些器件的 ESD 靈敏度，IC 和 LSI 的傳統(tǒng) ESD 應(yīng)激器并不適用。
僅探針引腳與 DUT 接觸或 ESD 發(fā)生器中的繼電器噪聲都有可能會(huì)損壞設(shè)備。Ecdm-100E/400E 可以針對(duì)這些極其敏感的應(yīng)用進(jìn)行修改。
尤其是，修改后的 Ecdm-100E 在 MR 磁頭應(yīng)用中被廣泛接受。提供 HBM、MM、CDM（場(chǎng)感應(yīng)電荷 CDM 和直接電荷 CDM）。
使用短寬度 TLP（傳輸線脈沖）的 I-V 曲線作為 ESD 保護(hù)元件的表征程序得到普及。Ecdm100E/400E 可以為此應(yīng)用程序進(jìn)行配置。 雖然手動(dòng)測(cè)量是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，但如果您開(kāi)發(fā)自己的程序，也可以指定 GP-IB 以便進(jìn)行 PC 控制測(cè)試和繪制曲線圖。
? 電壓 ：4kV（最大）
? IP 脈沖：0 至 6A
? Vp 脈沖：0 至 2kV
? 泄漏測(cè)量：0 至 30V/10nA
? 探針：TLP (WT-6NM)
? 脈沖上升：10nS
? 脈沖寬度：50、100、150、200ns
? 選項(xiàng)：X-Y 階段
